(zdjęcie może się nie zgadzać z faktycznym wyglądem urządzenia. Prosimy najpierw przeczytać dokumentację przed zakupem)
 
DOKUMENTACJA EN
 
Producent: MICROCHIP (SUPERTEX)
 
Typ tranzystora:  N-MOSFET
 
Polaryzacja: unipolarny
 
Napięcie drain-źródło:  60V
 
Prąd drenu w impulsie: 0,5A
 
Obudowa: TO92
 
Napięcie bramka-źródło: ±30V
 
Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5Ω
 
Montaż: THT
 
Rodzaj kanału: wzbogacany