(zdjęcie może się nie zgadzać z faktycznym wyglądem urządzenia. Prosimy najpierw przeczytać dokumentację przed zakupem)
 
DOKUMENTACJA EN
 
Producent: ONSEMI
 
Typ tranzystora:  N-MOSFET
 
Technologia: DMOS
 
Polaryzacja: unipolarny
 
Napięcie drain-źródło:  60V
 
Prąd drenu: 0,2A
 
Moc rozpraszana: 0,4W
 
Obudowa: TO92
 
Napięcie bramka-źródło: ±20V
 
Rezystancja w stanie przewodzenia: 9Ω
 
Montaż: THT
 
Rodzaj kanału: wzbogacany