(zdjęcie może się nie zgadzać z faktycznym wyglądem urządzenia. Prosimy najpierw przeczytać dokumentację przed zakupem)
Producent: ONSEMI
Typ tranzystora: N-MOSFET
Technologia: DMOS
Polaryzacja: unipolarny
Napięcie drain-źródło: 60V
Prąd drenu: 0,2A
Moc rozpraszana: 0,4W
Obudowa: TO92
Napięcie bramka-źródło: ±20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 9Ω
Montaż: THT
Rodzaj kanału: wzbogacany
2N7000
5,23 złCena
Zniżka dla klientów hurtowych
Brak w magazynie
Brak opiniiPodziel się swoimi przemyśleniami.
Bądź pierwszą osobą, która zostawi opinię.
